摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一个重要参数，过高的dIT/dt可能会导致可控硅损坏或失效，故设计一个能准确测量此参数的低成本线路显得尤为关键。本文设计了一个简洁的测量可控硅dIT/dt的测试电路，并介绍了它的测试原理与测试方法，且测量了市场上的BTA208-600B，得出了测试结果，与该产品说明书的值一致。可应用于研发可控硅的企事业单位和研究所测试可控硅。
引言
可控硅在白色家电的应用广泛，而dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一个重要的动态参数，它的重要性等同于可控硅的dIcom/dt和dVD/dt，它是可控硅导通电流的变化率，过快的电流变化率会使得可控硅局部产生很大的热量，可能会导致可控硅的永久性失效。故设计一款测试该参数的测试电路显得尤为重要，且符合低成本。本测试电路操作简单，测量准确，可用于可控硅的dIT/dt参数测量与测试，该测试电路可测试单向可控硅，双向可控硅，AC可控硅。
测试原理与测试线路设计
该测试线路是在传统的相位控制电路的基础上增加了两个配置，利用该线路当可控硅的控制端触发导通时可产生一个高的上升和下降斜率的电流波通过可控硅的T1和T2，从而可以测量电流的变化率，当可控硅的电特性(静态参数)发生变化时说明该器件已经受损，此前测量的dIT/dt值即为该可控硅能承受的最大导通电流变化率。
测试电路原理图见图1，一个配置是隔离变压器，可用来产生一个39V左右的交流电压来控制可控硅的触发导通，同时我们可以通过上下两个单刀双掷开关来改变控制端的电压极性，从而可用来测量可控硅的四个导通象限：1+，1-，3+，3-。220k的可调电阻R2用来控制导通的相位角，我们可以设置这个可调电阻使得在交流电的尖峰点触发使得可控硅导通，这样可以得到一个高的dIT/dt。
另一种配置是220欧姆的可调电阻R6与12欧姆R5和0.1μF的电容C2构成的阻尼电路，调整该电阻可改变流经可控硅的电流的变化率，即dIT/dt，当我们需要加一个50A/μs的电流在可控硅上时，我们需要调高电阻值，而当我们加一个大于100A/μs的电流在可控硅上，我们就需要使该变阻器的阻值变得很小，这样可以得到高的dIT/dt。
需要说明的是，该测试电路中的灯泡，从40W到1000W的范围可选，通常我们可以使用市场上常有的40W的灯泡。
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