什么是Cascode放大器？
共源共栅放大器包括两个阶段，例如CE（共发射极）级和CB（公共基极）级，其中CE馈入CB。当我们将其与放大器的单级进行比较时，其组合可以具有不同的特性，例如高输入/输出隔离度，高i / p阻抗，高o / p阻抗和高带宽。
在电流电路中，可以通过使用两个晶体管（即BJT或FET）来频繁使用此放大器。在这里，一个晶体管的工作方式类似于CE或公共源极，而其他晶体管的工作方式类似于CB或公共栅极。该放大器增强了I / O隔离，就像从O / P到I / P没有直接耦合一样，这降低了米勒效应并因此提供了高带宽。
共源共栅放大器的分析
共源共栅放大器用于增强模拟电路的性能。共源共栅的利用是一种常见的方法，可用于晶体管以及真空管的应用中。级联共源代码用于1939年由Roger Wayne Hickman和Frederick Vinton Hunt撰写的文章中。讨论的是稳压器的应用。他们为两个三极管设计了共源共栅共基共栅，其中第一个三极管的公共阴极设置，而下一个三极管的公共栅代替五极管。因此，可以将其名称假定为具有相关特性（如五极管）的级联三极管的简化。
共源共栅级的级联叫做共源共栅结构，如图1所示，它显示了共源共栅电路的基本结构：M1产生与输入电压Vin成正比的小信号漏电流，将输入电压信号转变为电流信号；M2仅仅使电流流经RD，将源极的电流信号传输到输出。
从共源共栅放大器的大信号特性（传输特性、输出电压范围）、小信号特性（增益、输出阻抗）、作用、高频特性与噪声特性来分析，下面我详细说说我的理解。
大信号特性：当Vin≤Vt1时 ， M1、M2截止；当Vin≥Vt1时 ，M1、M2都饱和；而Vin足够大时，M1进入线性区，M2也进入线性区，如图二所示。
分析偏置条件：为了保证M1工作于饱和区，必须满足Vx≥Vin-Vt1 .假如M1和M2都处于饱和区，则VX主要由Vb决定：Vx=Vb-VGS2。因此Vb≥Vin+VGS2-Vt1 ,如图3所示。为了保证M2饱和，必须满足Vout≥Vb-VT2 ,如果Vb的取值是M1处于饱和区边缘，则Vout≥Vin-Vt1+VGS2-Vt2。从而保证M1和M2工作在饱和区的最小输出电平等于M1和M2的过驱动电压之和。
共源共栅放大器电路
使用FET的Cascode放大器电路如下所示。该放大器的输入级是FET和Vin（输入电压）的公共电源，Vin与输入端的栅极相连。该放大器的输出级是FET的公共栅极，其输入相位非常严格。o / p级的漏极电阻为Rd，可以从次级晶体管的漏极端子获取Vout（输出电压）。
当Q2晶体管的栅极端子接地时，晶体管的源极电压和漏极电压几乎保持稳定。这意味着较高的Q2晶体管向较低的Q1晶体管提供低的i / p电阻。这降低了较低晶体管的增益，因此米勒效应也降低了，SO带宽将增加。
下部晶体管的增益降低不会影响总增益，因为上部晶体管会补偿总增益。上晶体管不受米勒效应的影响，因为可以使用漏极电阻器进行从漏极到源极漂移电容的充电和放电。频率响应以及负载仅受高频影响。
在该电路中，可以将输出与输入隔离。下部晶体管在源极和漏极的端子处包括大约稳定的电压，而上部晶体管在其两个端子处包括几乎稳定的电压。从o / p到i / p基本上没有反馈。因此，使用稳定电压的中间连接将两个端子隔离得很好。
优点和缺点
优点如下：
该放大器提供高带宽，增益，压摆率，稳定性以及输入阻抗。对于两晶体管电路，零件数非常少。
缺点如下：
该放大器需要两个具有高压电源的晶体管。对于双晶体管共源共栅，应在过程中通过足够的VDS对两个晶体管施加偏置，从而对电源电压施加较小的限制。
因此，这全部是关于级联放大器理论的。这些放大器有两种类型，例如折叠式共源共栅放大器和bimos共源共栅放大器。这是一个小问题，共射共基放大器的频率响应？
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