MOS管N沟道和P沟道详解
MOS管N沟道：
在看MOS管N沟道和P沟道判断方法之前，先简单的了解一下MOS管N沟道和P沟道。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
N沟道MOS管集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。
MOS管P沟道
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为P沟道MOS管晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS管N沟道和P沟道判断方法
MOS管N沟道和P沟道判断方法详解如下：
1、MOS的三个极怎么判定：
MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。
G极，不用说比较好认。
S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是;
D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
2、他们是N沟道还是P沟道?
三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：
当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。
先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。
3、寄生二极管的方向如何判定?
接下来，是寄生二极管的方向判断：
它的判断规则就是：
N沟道，由S极指向D极;
P沟道，由D极指向S极。
4、简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：(想像DS边的三节断续线是连通的)
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：
要么都由S指向D，要么都由D指向S。
5、它能干吗用呢?
在我们天天面对的笔记本主板上，MOS管有两大作用：
开关作用(1):PQ27控制脚为低电平
开关作用(2):PQ27控制脚为高电平，以上MOS开关实现的是信号切换(高低电平切换)。
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