MOSFET与符号详解,MOSFET是很常用的一个器件，可以起到“导通”“截止”的状态，大量的用在电源处理中。先从量上来说，NMOS器件是比PMOS要更常见，因为PMOS开关慢，电压高，很费劲。如果能找到源栅漏这几个标注，可以通过寄生二极管的方向来做判断。
今天写一下，MOS管电路符号和寄生二极管方向，和半导体类型的对应关系。
NMOS和PMOS，都是MOS管的一种类型。MOS，叫金属氧化物半导体。
氧化物是一个绝缘介质，氧化物上下两侧都是金属，那就是一个电容。
氧化物其中一侧是半导体，另一侧是金属，其实也是一个电容。
如果给MOS的M金属侧加正电荷，那挨着介质的一侧就会被感应出负电荷。
一般半导体是一个体结构，标注为block，B，看电路符号都是有个箭头，那个箭头表示了电子被感应的方向。上图金属正电荷，在介质靠近金属的地方，感应出很多电子。
继续设计这个结构，两侧做成n型半导体，n型半导体里边是有自由电子。MOS管加电压，感应吸附自由电子靠近氧化物，这些自由电子就把两侧的n型半导体导通了的。
金属氧化物半导体，不加电，两侧半导体不导通。
MOS，控制两侧N型半导体是否导通，这是个NMOS，那底下的衬底就要做成P型半导体。在电路符号里，就会看到这么标注。
衬底做成P型，是在无电压的情况下，源和漏是一对儿背靠背的二极管，能够稳定截止。
综合一下，NMOS的电路符号是这样的。
一般咱们适用的MOS管，并不会做成四个电极，而是会吧体电极与源合并。
小结一下NMOS：
① MOS中金属加正电压，底部感应出电子
② 自由电子，导通两侧的n型半导体
③ 零电压时，源漏之间是反向截止二极管。
同理，下图PMOS
① MOS中金属加负电压，底部感应出空穴，（下头的箭头，是电子的方向，空穴流向氧化物边缘，电子则会远离）
② 空穴增多，导通两侧的p型半导体，（P型半导体也是有空穴）
③ 零电压时，源漏之间是反向截止二极管。（PMOS源漏之间的电压和PN结的电压，通通都和NMOS反向。依然是截止。）
但凡可以看到源漏标注，就可以通过寄生电压的方式来判别是nmos还是pmos。
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