mos管的电路符号详解。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
MOS管的电路符号
MOS管的电路符号会有多种变化，电路中最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，有时也会将代表通道的直线以破折线代替，主要用于区分增强型MOSFET或是耗尽型MOSFET。
集成电路芯片上的MOS管为四端元件，除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。在一般分布式MOSFET元件中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极，所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。
MOS管和晶体管的应用区别及优势
MOS管是可以控制电压的元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
MOS管主要利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些MOS管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应管电路图符号识图
场效应管电路图符号，在电路图中它常用
表示，关于它的构造原理由于比较抽象，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型 的场效应管(MOS型)，它的电路图符号：
场效应管电路图符号仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎么使用它来当开关的，从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)，mpn中的贴片元件示意图是这个样子:
1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断(高电位)，去掉电压(低电位)就相通了!