场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
怎样理解场效应管参数
场效应管参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS、夹断电压UP（结型管和耗尽型绝缘栅管）或开启电压UT（增强型绝缘栅管）、跨导gm漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源电流IDSM。
(1)饱和漏源电流
饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
(2)夹断电压
夹断电压Up是指结型或耗尽型绝型场效应管中，使漏源间刚截止上时的栅极电压。如图4-25所示为N沟道管的UGS-ID曲线，可明确看出IDSS和UP的意义。如图4-26所示为P沟道管的UDS-ID曲线。
(3)开启电压
开肩电压UT是指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。如图4-27所示为N沟道管的UGS-ID曲线，可明确看出UT的意义。如图4-28所示为P沟道管的UGS-ID曲线。
(4)跨导
跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID控制能力，即漏极电流ID变化与栅源电压UGS变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。
(5)漏源击穿电压
漏源击穿电乐BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
(6)最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是一项极限参数，足指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
(7)最大漏源电流
最大漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
场效应管特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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