VMOS管
VMOS管检测，vmos管全称V-groove metal-oxide semiconductor，或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
vmos管工作原理是什么
VMOS功率场管的外形和内部结构示意图如图1所示，图1(b)为P沟道VMOS管栅极做成V形槽状，使得栅极表面和氧化膜表面的面积较大，有利于大电流控制，栅极仍然与漏、源极是绝缘的，因此VMOS管也是绝缘栅场效应管。漏极D从芯片上引出。
与MOS管比较，—是源极与两极的面积大，二是垂直导电(Mos管是沿表面水平导电)，二者决定了VMOS管的漏极电流ID比MOS管大。电流ID的流向为：从重掺杂M+型区源极出发，通过P沟道进入轻掺杂N-漂移区，然后到达漏极。这种管于的耐压高、功率大，被广泛用于放大器、开关电源和逆变器中，使用时要注意加装散热器，以免烧坏管子。
vmos管是什么，根据结构的不同，vmos管分为两大类：
VMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；
VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。
它们的结构分别如图1-15（a）、（b） 所示，其中（a）为VVMOS结构剖面图，（b）为VDMOS结构剖面图。下面以VVMOS结构为例，说明一下VMOS管的构成。
获得垂直沟道的一种方法是形成穿入硅表面的V形槽，开始时在N+衬底上生成一个N-外延层，在此外延层内进行一次掺杂颇轻的P型沟道体扩散，随后是一次N+源区扩散。然后刻蚀出V 形槽，并使它延伸进入到N-外延层内。最后生长氧化掩盖层。再通过金属化提供栅极及其它所需的连接。包括N+源区与P沟道体之间的连接。
按导电沟道划分，VMOS管可分为N沟道型和P沟道型两种，可与双极晶体管的npn型和pnp型相对应。作为一个例子，图1-16 画出N沟道增强型VMOS管的输出特性曲线。从形状上看，它与双极晶体管的输出特性相似。但内含不一样，这是由VMOS管的基本特性决定的。VMOS管输出特性中的每一条曲线是以栅源电压Ugs为参变量画出的，面双极晶体管输出特性的每一条曲线是以基极电流Ib为参变量画出的。
VMOS管检测方法
VMOS管的检测方法有哪些？VMOS管检测方法有以下四种检测方法，更加详细的内容请见下文。
1、检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
2、判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
3、测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
4、判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。南平电工培训老师建议大家用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
VMOS管注意事项
1、多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
2、VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
3、提醒大家使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
4、有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
5、现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
6、目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。
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