除了DO、SMA、SMB、SMC、SOD、SOT等，二极管封装形式还在不断创新，其宗旨是降低寄生效应，提升器件的导通和开关速度。通过降低内部电阻和提升热性能，新型封装还可提升小封装的电流处理能力，提高器件可靠性。例如，Power QFN（PQFN）封装本来是为集成电路芯片设计的，目前已经被肖特基整流二极管厂家采用。
采用PQFN封装的高能效肖特基整流二极管
1. 什么是PQFN封装?
PQFN是英文Power Quad Flat No Leads缩写，是基于JEDEC标准的四边扁平无引脚（QFN）表面贴装封装的功率增强版本，PQFN封装在四周底侧装有金属化端子。这样，就可采用标准化规则管理尺寸和端子配置，并为工业标准功率封装奠定基础，从而给新一代设计带来先进性能。
在PQFN封装内，可以通过两种技术创建从裸片到封装端子之间的连接，为设计人员提供了多种具有成本效益、高性能的选择。其中，PQFN 5×6铜片技术可用单个器件代替两个或更多传统器件，从而简化设计并提高可靠性，并实现更优的效率。
PQFN封装在底侧有一个或以上的裸热焊盘，裸焊盘有助于降低裸片到PCB的热阻，更利于散热。更为重要的是，PQFN可轻松安装在电路板上，并与现有表面贴装回流技术兼容，因此能够较轻松地设计到新的或现有的电路板中。
2. PQFN封装尺寸范围
作为QFN封装的高功率版本，PQFN封装焊盘脚位8-42个，最大封装高度从0.9-2mm不等，焊盘间距一般为0.50mm、0.65mm、0.80mm、0.90mm。
PQFN封装的主要特征
3. PQFN封装的肖特基整流二极管
肖特基二极管具有超低导通电压，功率损耗小，工作效率高等特点。例如，采用PQFN封装的SMBRP20100肖特基整流二极管结到壳体热阻为2.5°C/W，结到室温热阻为50°C/W。
该肖特基整流二极管系列反向重复峰值电压Vrrm = 100V，反向峰值工作电压Vrwm = 100V，最大DC阻断电压Vdc = 100V，最大平均正向整流电流 If(AV) = 20A，正向峰值电流IFSM = 150A。
值得注意的是，PQFN封装的肖特基二极管不仅高性能，还具有良好的散热性、可焊性和公工艺性。
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