本文介绍了数字晶体管（Digital Transistor）选定方法，电流放大倍数GI和hFE的区别，以及温度特性和输出电压-输出电流特性。
数字晶体管的工作原理
根据数字晶体管工作原理，使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1，输入电阻R1是±30%，E-B间的电阻R2/R1=±20%，VBE一般为0.55-0.75V。
如果作为开关使用，需要饱和状态的电流比率IC/IB=20/1。
在数字晶体管中，IO和IC是有区别的。其中：IC表示能够通过晶体管的电流的最大理论值，IO表示能够作为数字晶体管使用的电流的最大值。
数字晶体管IO和IC电路的区别
以ROHM公司的DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流，用IC=100mA定义。如果这些晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。
这些数字晶体管流过IC=100mA时，基极电流IB需要相对应的电流値，其结果需要高的输入电压VIN。
根据绝对最大额定值限制，由输入电阻R1的功率许容值（封装功率）决定输入电压VIN(max)。电流IC=100mA流过时，可能超过这个额定值，在不超过VIN(max)条件下，数字晶体管中流过的电流值定义为IO。
所以，绝对最大额定值被定义为“不能同时提供2项以上”，仅用IC标记没有问题，但结合客户实际使用状态，合并标记为IO。因此，电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。
可见，数字晶体管与普通晶体管相比，只是增加了一个R1，或两个偏压电阻（R1和R2）。
GI和hFE的区别
按照定义，hFE是晶体管的直流电流放大倍数，GI是数字晶体管的直流电流放大倍数。
数字晶体管电阻器链接电路图
虽然GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率，由于数字晶体管在普通晶体管上连接了2个电阻器，放大倍数不因输入电阻R1而下降。在仅有输入电阻R1时，放大倍数表示为hFE，与普通晶体管hFE相等。
如果在E-B间附加了一个电阻器R2，输入电流则分为流过普通晶体管的电流和流过E-B间电阻R2的电流。此时，放大倍数比单体时的hFE有所下降，此值称为GI表示数字晶体管的放大倍数。
也就是说，数字晶体管将电路图中常见的两个电阻器R1、R2从PCB线路板上移植到了晶体管封装内，形成一个简单的混合集成电路，使晶体管的输出线性更好、工作状态更稳定，还节省了PCB空间。
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