导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，是工作时MOSFET漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小，所以实际应用中要求Rds(ON)越小越好。
由于能源日趋紧张，越来越多的均需要超低Rds(ON)，例如ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与蓄电池保护等，以便降低I2R损耗并提高效率。然而，具备类似Rds(ON)的一些同类器件，由于在缩小晶圆单元间隔的同时，其SOA(评估MOSFET耐受性的性能)和最大ID额定电流将会被降额或折中。
导通电阻Rds(ON)原理
推出了型号为PSMNR58-30YLH的业界超低导通电阻MOSFET，其最大Rds(ON)仅仅0.67欧姆，最大额定漏极电流可达380A。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转的瞬间会产生超大电涌，MOSFET必须承受这些电涌，才能确保安全可靠运行。
虽然目前也有厂商宣称提供类似器件，但是他们的最大ID电流是计算出的，不是测试数据。Nexperia的半导体产品实测持续电流能力高达380安培，并且100%最终生产测试的持续电流值高达190安培。
一般来说，降低Rds(ON)要通过增大封装尺寸来实现。值得注意的是，PSMNR58-30YLH采用采用独特的铜夹结构，两种封装形式LFPAK56(Power-SO8)、LFPAK33(Power33)均能吸收热应力，提升质量和可靠性，而且4引脚LFPAK56封装的安装尺寸仅30平方毫米，管脚间距1.27毫米。
目标应用上，PSMNR58-30YLH MOSFET凭借低Rds(ON)、高额定ID，以及毫不折中的SOA等级、质量和可靠性，能充分满足汽车、充电桩、光伏发电、风力发电等苛刻环境需求，是无刷直流(BLDC)电机控制（全桥式三相拓扑），ORing服务器电源、热插拔操作和同步整流，蓄电池保护，以及手机快速充电和直流负荷开关应用设计的理想选择。
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