碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管在高频、高电压、大功率、耐高温、抗辐射等方面具有巨大的应用潜力，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为下一代电力电子元器件。
众所周知，肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种金属-半导体器件。与Si和GaAs器件相比，SiC肖特基二极管的其他品质都优于Si和GaAs器件。
SiC肖特基二极管展示图
目前，销售中的SiC肖特基二极管的反向阻断电压达1200V，额定电流达20A以上。研发方面，SiC肖特基二极管的阻断电压超过了10000V，大电流器件通态电流达130A。
面向太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV/HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等应用，安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出了系列650V碳化硅（SiC）肖特基二极管产品，均具有零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数，可提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。
这些650V电子元器件提供的系统优势包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压（VF）及SiC二极管的无反向恢复电荷能减少功率损耗，因而提高能效。SiC二极管更快的恢复速度令开关速度更高，因此可以缩减磁性元件和其他无源元件的尺寸，实现更高的功率密度和更小的整体电路设计。
SiC肖特基二极管结构图
结构上，安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利终端结构，加强可靠性并提升稳定性和耐用性。此外，二极管提供更高的雪崩能量、业界最高的非箝位感应开关（UIS）能力和最低的电流泄漏。
应用上，这些SiC高压二极管可承受更高的浪涌电流，并在-55至+175°C的工作温度范围内提供稳定性，可提供DPAK、TO-220和TO-247封装。
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