晶体管是三端子半导体器件，端子是E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。晶体管可以工作在三个不同的区域，如有源区，截止区和饱和区。晶体管在截止区域工作时关闭，并在饱和区域工作时导通。晶体管在有源区工作时作为放大器工作。晶体管作为放大器的主要功能是增强输入信号而不会发生太大变化。本文讨论晶体管如何作为放大器工作、晶体管原理和作为放大器的晶体管电路设计图。
晶体管作为放大器
放大器电路可以定义为用于放大信号的电路。放大器的输入是电流，否则是电流，其中输出将是放大器输入信号。使用晶体管的放大器电路，否则晶体管称为晶体管放大器。晶体管放大器电路的应用主要涉及音频，无线电，光纤通信等。
所述晶体管结构被分类为三种类型，如CB（共基极），CC（公共的集电极）和CE（共发射极）。但是常见的发射器配置经常用于像音频放大器这样的应用中。因为在CB配置中，增益<1，而在CC配置中，增益几乎等于1。
良好的晶体管参数主要包括高增益，高压摆率，高带宽，高线性度，高效率，高i / p阻抗，高稳定性等参数。
作为放大器的晶体管电路设计
通过增强弱信号的强度，晶体管可以用作放大器。在下面的晶体管放大器电路的帮助下，人们可以了解晶体管电路如何作为放大器电路工作。
在下面的电路中，输入信号可以在发射极 - 基极结和在集电极电路中连接的Rc负载两端的输出之间施加。
作为放大器的晶体管电路设计图
为了准确放大，请始终记住输入是正向偏置连接，而输出是反向偏置连接。因此，除了信号之外，我们在输入电路中施加直流电压（VEE），如上述电路所示。
通常，输入电路包括低电阻; 输入端的信号电压会发生一点变化，导致发射极电流发生显着变化。由于晶体管动作，发射极电流的变化将导致集电极电路内的相同变化。
目前，通过Rc的集电极电流在其上产生巨大的电压。因此，输入电路上施加的弱信号将以放大的形式在输出中的集电极电路中出现。在该方法中，晶体管用作放大器。
公共发射极放大器电路图
在大多数电子电路中，我们通常使用NPN晶体管配置，这被称为NPN晶体管放大器电路。让我们考虑分压器偏置电路，其通常被称为单级晶体管放大器电路。
基本上，偏置装置可以用两个晶体管构建，例如跨越电压源的分压器网络。它以中间点为晶体管提供偏置电压。这种类型的偏置主要用于双极晶体管放大器电路设计中。
公共发射极放大器电路图
在这种偏置中，晶体管将通过将基极偏置保持在恒定的稳定电压级来降低电流放大效应因子'β'并允许精确的稳定性。可以使用分压器网络测量Vb（基极电压）。
在上述电路中，整个电阻将等于 R1和R2 两个电阻的数量。在两个电阻器结处产生的电压电平将恒定的基极电压保持在电源电压。
以下公式是简单的分压器规则，用于测量参考电压。
Vb =（Vcc.R2）/（R1 + R2）
类似的电源电压也决定了最大的集电极电流，因为晶体管被激活，处于饱和模式。
共同的发射极电压增益
共发射极电压增益相当于输入电压比内对放大器o / p电压内的修改的修改。将Vin和Vout视为ΔVB。＆ΔVL
在电阻条件下，电压增益等于集电极内朝向发射极内信号电阻的信号电阻比为
电压增益= Vout / Vin =ΔVL/ΔVB= -RL / RE
通过使用上面的等式，我们可以简单地确定共发射极电路电压增益。我们知道双极晶体管包括内置在发射极部分的微小内部电阻，即“Re”。每当内部发射极电阻由外部电阻串联连接时，定制电压增益方程如下。
电压增益= - RL /（RE + Re）
低频时发射极电路中的整个电阻将等于内部电阻和RE + Re外部电阻的量。
对于该电路，高频和低频的电压增益包括以下内容。
高频电压增益= -RL / RE
低频电压增益= - RL /（RE + Re）
通过使用上述公式，可以计算放大器电路的电压增益。
因此，这完全是关于作为放大器的晶体管。从上面的信息，最后，我们可以得出结论，晶体管只有在正确偏置时才能像放大器一样工作。良好的晶体管有几个参数，包括高增益，高带宽，高压摆率，高线性度，高i / p阻抗，高效率和高稳定性等。
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