如何保护Cmos IC设备
Cmos IC保护电路
所有MOS管器件都具有绝缘栅极，可能会发生电压击穿。例如，用于摩托罗拉CMOS器件的栅极氧化物厚度约为900 A，并且在栅极 - 源极电位约为100伏时发生击穿。为了防止这种由静态放电或其他电压瞬态引起的击穿，使用图中所示的保护网络在CMOS器件的每个输入端。
静电损坏设备的行为方式不同，具体取决于损坏的严重程度。最严重损坏的输入是最容易检测的，因为输入已被完全破坏，并且短路VDD，短路至Vgs或开路。效果是该装置不再响应信号存在于受损的输入。较不严重的情况更难以检测，因为它们表示间歇性故障或性能下降 。静态损坏的另一个影响是输入通常具有增加的泄漏电流。
尽管输入保护网络提供了大量保护，但CMOS器件工作并不能免受在处理期间可能产生的大静电压放电的影响。例如，在4-15kV范围内（取决于湿度，表面条件等）测量了在蜡地板上行走的人产生的静电电压。
保护/安全防护Cmos设备的重要预防措施
1. 不要超过数据表中规定的最大额定值 。
2. 所有未使用的设备输入应连接到VDD 或Vss 。
3. 只有在器件通电后，所有低阻抗设备（脉冲发生器等）才应连接到CMOS输入。同样，在关闭电源之前应断开此类设备。
4. 包含CMOS器件的电路板仅仅是器件的扩展，并且适用相同的处理预防措施。 接触直接连接到设备输入的边缘连接器可能会导致损坏。应避免塑料包装。虽然与PC板的外部连接连接到CMOS器件的输入，但应使用与输入串联的电阻。如果取下PC板并使其与静电产生材料接触，该串联电阻有助于限制意外损坏。串联电阻的限制因素是增加的延迟。这是由串联电阻和输入电容形成的时间常数引起的。请注意，不应超过最大输入上升和下降时间。在图中 使用串联电阻显示两个可能的网络，以减少ESD（静电放电）损坏。
这些网络对保护有用
· 数字输入和输出
· 模拟输入和输出
· 3状态输出
· bidiSrectional（I / O）端口。
5. 所有CMOS器件都应采用抗静电材料储存或运输。CMOS设备不得插入传统的塑料“雪”，塑料泡沫或塑料托盘中，但应留在原始容器中直到准备使用。
6. 所有CMOS器件应放置在地面工作台表面上，操作人员应在操作设备之前将其自身接地，因为工人可以相对于工作台表面静电。强烈建议使用与皮肤接触的腕带。
7. 尼龙或其他静电产生材料不应与CMOS器件接触。
8. 如果使用自动处理器，则设备，皮带或板的移动可能会产生大量静电。使用电离式鼓风机或室内加湿器减少静电积聚。与IC封装的顶部，底部或侧面接触的所有机器部件必须接地到金属或其他导电材料。
9. 使用CO2 进行冷却的冷室应配备挡板，CMOS器件必须包含在导电材料上或导电材料中。
10. 当需要进行引线矫直或手工焊接时，请为所用设备提供接地带，并确保焊接接头接地。
11. 强烈建议使用静电检测仪进行生产线监测。
12. 设备规格应提醒用户存在CMOS设备，并且在执行任何类型的维护或更换设备或模块之前需要熟悉本规范。
13. 请勿在接通电源的情况下从测试插座插入或移除CMOS器件。检查用于测试设备的所有电源，确保没有电压瞬变。
14. 在进行参数或功能测试之前，请仔细检查测试设备的设置，确保VDD 和Vss 的极性正确。
15. 不要回收运输导轨或托盘。反复使用会导致其抗静电涂层变质。
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