半导体XXW器件存储器可区分为挥发性与非挥发件性存储器两类．挥发性存储器，如动态随机存储器和静态随机存储器，若其电源供应关闭，将会丧失所储存的信息，相比之下，非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息，目前，DRAM与SRAM被广泛地使用于个人电脑以及工作站，主要归因于DRAM的高密度与低价格以及SRAM的高速，非挥发性存储器则广泛应用于如移动电活、数码相机及智能IC卡等便携式的电子系统中，主要是因为它提供低功率损耗及非挥发性的能力．
DRAM
近代的DRAM技术使用如图6.39所示[16]的存储单元阵列，存储单元含有一个MOSFET以及一个MOS电容器（即l晶体管／1电容器或1T、C存储单元）．MOSFET的作用就如同一个开关，用来控制存储单元写入、更新以及读出的操作，电容器则作为电荷储存之用．在写入周期中，MOSFET导通，因此位线中的逻辑状态可转移至储存电容器之中．在实 际应用上，由于储存端有虽小但不可忽略的漏电流，使得储存于电容器中的电荷会逐渐地流失．因此，DRAM的工作是“动态”的，因为其信息需要周期性(一般为2ms～50ms)地重新更
新．
1T/1C DRAM存储单元的优点在于其结构非常简单且面积小，为了增加XXW芯片中的存储密度，按比例缩小存储单元的尺寸是必须的：然而由于：电容器电极面积也会随之缩减，因而降低了电容器的储存能力，为了解决这一问题，需要借助三维空间(3-D)结构的电容器，一些先进的3-D电容器将于第14章中加以讨论．利用高介电常数的材料米取代传统的氧化物-氮化物复合材料（介电系数为4-6）作为电容器的介电材料，可增加其电容值．
SRAM
SRAM是使用一双稳态的触发器结构来储存逻辑状态的静态存储单元阵列，如图6. 40所示，触发器结构包含了两个相互交叉的CMOS反相器对(T1、T3以及T2、T4)．反相器的输出端连接至另一个反相器的输入端，此结构称为“锁存器”. T1与Tc这两个额外的n沟道MoSFET的栅极连接至字线，以用来读取该SRAM存储单元．因为只要电源持续供给，则其逻辑状态将维持不变，故SRAM的工作是。静态的，因此SRAM不需要被更新，反相器中两个p沟道MOSFET( T1与T2)的作用，就如同负载晶体管一般．除了在开关的过程中，几乎并没有电流流过存储单元，在某些情况下，p沟道多晶硅TFT或多晶硅电阻可用来取代本体p沟道MOSFET．这些多晶硅的负载器件可以制作在本体n沟道MOSFET的上方，因此3—D的集成化可有效地减少存储单元面积，进而增加芯片的储存密度．
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