对于MOS管双极型晶体管 ，由于电流增益随输出电流的上升急剧下降 ，当输出电流显著增加时， 其基极电流的增加是无法接受的 ，所以最大输出电流受到限制 。图 9.13 给出了 2N6542 双极型晶体管 (SA、400V )电流增益与集电极电流的关系曲线 。
图 9.13 双极型晶体管的直流增益曲线 。双极型晶体管的增益随着输出电流的增大而减小 ，而MOSFET 管不存在这种情况 ，MOSFET 管最大电流只受结点温升的限制
对于 MOSFET 管，输出输入增益 （ 即跨导 dlctsfdVgs ） 不会随输出电流增加而下降 ，如图9.14 所示。这样限制漏极电流的唯一因素就是损耗 ，即 MOSFET 管的最大结点温度。
图9.14 不同温度下 IRF330 的跨导与漏极电流的关系曲线 。双极型晶体管的增益随输电流的增大而减小 ，而 MOSFET 管不存在这种情况 。MOSFET 管最 大电流只受结点温升的限制
MOSFET 管最大结点温度是 150℃。结点、温度的理想值为 105℃，最高不会超过 125℃。为器件载流能力 ，称为器件漏极最大持续电流 。最大持续电流 lct 定义为 ，在最大导通压降 比如和占空比为 100%时，产生的功率损耗使 MOSFET 管结点温度上升到最大值 150℃ （ 外壳温度为 100℃） 时的漏极电流。因此
式中，Vcts＜则是150℃时最大漏源极间导通压降：R出为热阻，单位为℃/W。在开关电源设计中通过给定的最大尖峰电流来选择MOSFET管时，h值不能作为参考值 ，
因为实际使用中 占空比不会达到 100%。出于可靠性的考虑，希望结点温度的设计值为 125℃ 或 105℃ （ 军用）。但值可以说明不同 MOS管在占空比为 100%的工作情况下的相对载流能力。
一般来说，输出功率确定时 ，有两种方法可以选择MOSFET 管。首先，根据输出功率和最小直流输入电压 ，计算出等效的初级电流值，推挽变换器 、正变换器 、半桥及全桥电路的电流值可分别由公式（2.9）、式（2.28）、式C3.1）及式C3.7）计算得出。从得出的电流值就可以计算出MOSFET管的值，能使导通漏源极间电压 Upn rds ） 不超过最小直流 输入电压的 2% ，即导通电压不超过变压器最小初级电压的 2%。
根据前面计算出的值选择电子器件 ，应注意表 9.1 中的数据是在温度为 25 ℃的条件下给出 的。由于受温度等参数影响较大 ，所以选择MOSFET管时要注意图 9.9 和图 9.10 中随温度和器件额定电压变化的曲线 。图 9.10 说明额定电压为 400V 的 MOSFET 管在温度为 100℃的条件下的是 25℃时的 1.6 倍。
．下面以一个工作于 115V 线电压的 150W 正激变换器为例进行说明 。假设整流后最大和最 小直流线电压分别是 184V 和 136V，由式 （ 2.88 ） 计算出等效平顶波电流 lptt=3.13× 050÷136 )= 3.45A ，那么由于 MOS管跨导主要作用电压占最小电源电压的 2%
表 9.1 给出了 Motorola 公司生产的塑料封装 、额定电压为 450V 的 MOSFET 管的各种 数据。
对于设计人员来说 ，选择器件要兼顾性能和成本 。额定电流为 7A 的 MTH7N45 管士作 在漏极电流为 3.45A 时，其导通压降为 2.72V o 这会使它的工作温度比 MTH13N45 管的高一 些，但如果要求不高也可以使用 ，因为 MTH7N45 管有成本低的优势 。
边择 MOSFET 管还有 A 个方法 ，就是设它的最大结点温度一一比如说可以将其设为 100℃。然后假设一个合理的较低的 MOSFET 管结点到外壳的温升 （ 这样就小需里太低的外壳散热温度 因为器件外壳温度比结点温低的越多 ，需要的散热器越大） 。比如l可以假定合理的结点到外壳的温升为 5℃，则有
中，是 MOSFET 管的有效电流 。对于一个正激变换器 ， 每个周期的最大导通时间是0.8T / 2 ，有效电流是
那么对于上由的例f 中，功率为
那么对于上由的例f 中，功率为这种额定电流和封装尺寸的 MOSFET 管热阳一般为 0.83℃1W 为
这是在结点温度为 100℃时的 rcts ，当尖峰电流为 3.45A 且导通比为 0.4% 时，它产生了 5℃的结点到外壳的温差 。结点温度为 25°C 时，
这样 ，在结点到外壳的温差为 5℃时，表 9.1 表明 MTH7N45 管是 A 个合适的选择 。但在 100℃时，它的导通压降为
。如果不考虑成本 ，MTH13N45管会是更加合适选择。
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