开关电源工作频率的不时进步促使电子元件工业发作了普遍的改造。半导体工业首当其冲，更多的研讨经费投入于MOSFET管的研讨。MOS管的额定电压和额定电流得到了 显著进步 ，本钱却逐渐降落 ，使它可以应用于大量新的场所 。目前己经开发出在高频率、高磁通密度条件下有更低损耗的磁性元件 ，并且推出了能工 作在更高频率的 PWM 芯片。工作频率的进步和变压器、滤波电容体积的减小，恳求其他器件的尺寸也要减小，从而对制造工艺提出了更高的恳求（比如表面安装技术 SMT ） 。谐振电源半桥是一个新的工业和研讨范畴。频率为2030kHz，运用可控硅整流器的谐振电源曾经运用了多年。

MOS目T管的呈现使电路可以工作在更高的频率，大量研讨人员正着手开发各种频率为0.35MHz的新型谐振电路拓扑。在频率高于lOOkHz的设计中，设计者必需认真思索原本在频率低于lOOkHz时可以忽略的现象。比如集肤效应，特别是变压器线圈的临近效应损耗 ，由于高频时这些损耗在整个变 压器损耗中所占 的比重增大。快恢复二极管由于电流波形具有更快的上升时间，地线和供电回路上的 Ldildt 尖峰变得愈加复杂棘手 ，所以需求设计者愈加留意线路规划 ，如具有低电感特性的地线和供 电回路及关键节点的稿合电容等 。固然存在这些不肯定的要素和问题 ，但是电源设计者只 要熟习双极型晶体超结场效应管的设计 ，掌握关于 MOSFET 管特性的基本信息 ，就可以很快学会运用 MOS田T 管中止开关电路设计 。

对电路设计者来说 ，决议MOSFET 管特性的制造材料和固态物理结构并不太重要 ，这里不予讨论。 在电路设计中 ，MOS四T管的直流伏安特性 、极间电容 、温度特性和开关速度等是需求思索 的，本文只对这些方面中止讨论 。在很大程度上 ，用 MOS阳T管设计电源比用双极型晶体管更简单。

MOSFET管输入端（栅极）的驱动电路要比双极型晶体管的基极驱动电路简单得多。而且MOSFET 管没有存储时间，就避免了复杂的Baker钳位电路和比例基极驱动电路。另外，双极型晶体场效应管管卢值在制造过程中可能相差达4倍所惹起的问题在MOSFET管的运用中也己不存在 。在关断过程中 ，由于MOSFET 管电流降落速度很快 ，输出端的降落电流和上升电压在较 低的电流下会发作堆叠 ，从而减小了堆叠损耗即交流开关损耗 （ 1.3.4 节）。这样就可以简化 以致不需求缓冲器了 .
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