MOS英文全称为金属-氧化物-半导体，描写了集成电路中的构造，即：在必然构造的半导体器材上，加上二氧化硅和金属，构成栅极。这兩种型态的构造没有太大的差異，仅仅耗尽型MOS一开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即便在VGS为零的情况下，
供应应设计者一种高速度、高功率、高电压、与高增益的元件。有些场效应管的源极和漏极能够交流运用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
能在很小电流和很低电压的条件下功课，而且它的制造技能能够很方便地把许多场效应管集成在一块硅片上，因而场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的运用。它作用特征:开关速度快、高频任性能好，输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优异、无二次击穿标题、全功课区宽、功课线性度高等等，其最主要的利益就是能够减少体积巨细与分量，
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。
耗尽型MOS仍能够导通的。 MOS管的source和drain是能够对调的，都是在P型backgate中构成的N型区。
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
由于场效应管拓展器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不必运用电解电容器。在各類中小功率开关电路中运用极为广泛，能够用作可变电阻也可运用于拓展。
且MOS场效应管很高的输入阻抗十分适协作阻抗变换。能够方便地用作恒流源也能够用作电子开关。常用于多级拓展器的输入级作阻抗变换。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才调导通。
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