导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2～3倍的基极尖峰电流供给基极。该尖峰的持续时间仅为最小导通时间的2%-3%，如图8.2 (a )所示。
图 8.2 (b)给出了这种 “ 导通过MOS管驱动” 效应的图示。如果对导速度没有要求，则为了 获得要求的集电极电流 （ Ic1） 所需要的基极输入电流 （ ／bl ） 只要满足将电压 Vee降低到集电极负载线和lc/Vce曲线的交点处的饱和电压Vce(at)的水平上就可以了。在满足上面要求的／bl的作用下，集电极电流将以某个时间常数ta呈指数上升，并且在3ta的时间内进入 lci5%的范围内。
然而，若基极电流为2Ib1（过驱动系数为2），集电极电流将迅速上升，直至2/cl.如果没有电源电压和负载阻抗的限制，它将在相同的时间3ta后达到2Ic1。但由于集电极电流受电源电压和负载阻抗的限制，它只能达到lci.因此集电极电流仅需要0.69儿ta的时间内达到期望值lci，而非3ta.类似地，如果过驱动系数为3(/b=3/b1），则集电极电流会迅速上升，直到接近于 3lc1 。
如果没有负载阻抗和电源电压的限制，将在相同的时间3ta 后达到 3Ic1。但事实上集电极电 流受到限制，它只能达到 lcl。因此集电极电流是在 0.4ta 时间内达到期望值 lc1的，而非3ta为加速晶体管的导通，过驱动系数通常选为2-3。这个过驱动系数用于具有典型B值的晶体管。B值低的晶体管速度很快，不需要高的过驱动系数。而B值高的晶体管速度慢，其相 应的过驱动系数大约为典型B值晶体管的两倍。
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