MOS晶体管种类
按沟道区中载流子类型分
N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子
P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P＋，沟道中载流子为空穴
在正常青况下，只需一种类型的载流子在工作，因此也称其为单极晶体管。
按工作方式分增强型晶体管：若在零栅压下不存在漏源导电沟道，为了构成导电沟道，需求施加一定的栅压，也就是说沟道要经过、"增强"才干导通
耗尽型晶体管：器件本身在漏源之间就存在导电沟道，即使在零栅压下器，件也是导通的e 若要使器件截止，就必需施加栅压使沟道耗尽型。
假定、漏端电压Vds为正，当栅上施加一个小于开启电压的正栅压时，栅氧下面的P型表面区的空穴被耗尽，在硅表面构成一层负电荷，这些电荷被称为耗尽层电荷Qb。这时的漏源电流为透露电流。假定Vgs>Vth，在哩硅表面构成可移动的负电蒲Qi层，即导电沟道。由于表面为N型的导电沟道与哩衬底的导电类型相反，因此该表面导电沟道被称 为反型层。
在Vgs=Vth时，表面的少数载流子浓度（电子）等于休内的多数载流子（空穴）的浓度。栅压越高，表面少数载流子的电荷密度Qi越高。（可动电荷Qi也可称为反型电荷）此时，假定漏源之间存在电势差，由于载流子（NMOS中为电子）的扩散，会构成电流Ids。这时PN结的透露电流仍然存在，但它与 沟道电流相比非常小，普通可以忽略。由于反型电荷Qi猛烈地依赖与栅压，因此可以应用栅压控制沟道电流。
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