MOS管的电路符号
MOS管(场效应管)的电路符号会有多种变化,电路中最常见的设计是以一条直线代表通道,两条和通道垂直的线代表源极与漏极,左方和通道平行而且较短的线代表栅极,有时也会将代表通道的直线以破折线代替,主要用于区分增强型MOSFET或是耗尽型MOSFET。
集成电路芯片上的MOS管为四端元件,除了栅极、源极、漏极外,尚有一基极。MOSFET电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型);反之若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。在一般分布式MOSFET元件中,通常把基极和源极接在一起,故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极,所以不标示出基极的极性,而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。
MOS管和晶体管的应用区别
MOS管是可以控制电压的元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
MOS管主要利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些MOS管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上,因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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