在IC上制造的最复杂的元件是晶体管。晶体管具有各种类型，例如CMOS，BJT，FET。我们根据要求选择在IC上实施的晶体管技术类型。在本文中，让我们熟悉CMOS晶体管制造（或将晶体管制造为CMOS）的概念。
CMOS晶体管制造工艺
为了降低功耗要求，CMOS技术用于实现晶体管。如果我们需要更快的电路，则可以使用 BJT在IC上实现晶体管。制造CMOS晶体管的集成电路可以在三种不同的方法来完成。
N阱/ P阱技术，其中分别在p型衬底上进行n型扩散或在n型衬底上进行p型扩散。
双阱技术，其中NMOS和PMOS晶体管，通过同时扩散在外延生长基极发展了晶片，而不是基底上。
绝缘体上硅工艺，而不是使用硅作为衬底，而是使用绝缘体材料来提高速度和闩锁敏感性。
N阱/ P阱技术
可以通过在同一硅晶片上集成NMOS和PMOS晶体管来获得CMOS 。在N型阱技术中，n型阱扩散在p型衬底上，而在P型阱中则相反。
CMOS制作步骤
在CMOS制造工艺 流是使用20基本的制造步骤进行，同时使用N-阱/ P阱技术制造。
用N阱制作CMOS
步骤1：首先，我们选择基板作为制造基础。对于N阱，选择P型硅衬底。
步骤2 –氧化：使用SiO2作为阻挡层可实现n型杂质的选择性扩散，该阻挡层可保护晶片的某些部分免受衬底污染。通过在大约1000 0 c 的氧化室内将基板暴露于优质氧气和氢气的氧化工艺来布置SiO 2
步骤3 –光致抗蚀剂的生长：在此阶段，可以进行选择性蚀刻，然后对SiO2层进行光刻处理。在该过程中，晶片上涂有均匀的感光乳剂膜。
步骤4 –掩模：此步骤是光刻工艺的继续。在此步骤中，使用模版制作所需的开放性图案。该模板用作光致抗蚀剂上的掩模。现在使基材暴露于紫外线下，存在于掩模暴露区域下的光致抗蚀剂发生聚合。
步骤5 –去除未曝光的光致抗蚀剂：去除掩模，并使用三氯乙烯等化学物质显影晶圆，以溶解未曝光的光致抗蚀剂区域。
步骤6 –蚀刻：将晶片浸入氢氟酸蚀刻溶液中，该溶液从要扩散掺杂剂的区域去除氧化物。
步骤7 –去除整个光刻胶层：在蚀刻过程中，SiO2受光刻胶层保护的部分不受影响。现在用化学溶剂（热的H2SO4）剥离光刻胶掩模。
步骤8 – N阱的形成： n型杂质通过暴露区域扩散到p型衬底中，从而形成N阱。
步骤9 –去除SiO2：现在使用氢氟酸去除SiO2层。
步骤10 –沉积多晶硅：CMOS晶体管的栅极未对准会导致多余的电容，从而损坏电路。因此，为了防止这种“自对准栅极工艺”，在使用离子注入形成源极和漏极之前先形成栅极区域的情况下，最好采用这种方法。
多晶硅用于形成栅极，是因为当晶片经受用于形成源极和漏极的退火方法时，多晶硅可以承受大于8000 0 c的高温。通过使用化学沉积工艺在栅极氧化物的薄层上沉积多晶硅。多晶硅层下方的薄栅极氧化物可防止在栅极区域下方进一步掺杂。
步骤11 –形成栅极区域：除了为NMOS和PMOS晶体管形成栅极所需的两个区域之外，还去除了多晶硅的其余部分。
步骤12 –氧化工艺：在晶片上方沉积一层氧化层，作为进一步扩散和金属化工艺的屏蔽层。
步骤13 –掩膜和扩散：为了通过掩膜工艺形成用于扩散n型杂质的区域，需要制作一些小间隙。
利用扩散工艺，开发了三个n +区域用于NMOS端子的形成。
步骤14 –去除氧化物：去除氧化物层。
步骤15 – P型扩散：类似于用于形成PMOS端子的n型扩散。
步骤16 –厚场氧化物的铺设：在形成金属端子之前，应先铺设厚场氧化物以形成用于不需要端子的晶圆区域的保护层。
步骤17 –金属化：此步骤用于形成可以提供互连的金属端子。铝散布在整个晶片上。
步骤18 –去除多余的金属：从晶圆上去除多余的金属。
步骤19 –端子的形成：在去除多余金属端子后形成的间隙中，形成互连用的端子。
步骤20 –分配端子名称：将名称分配给NMOS和PMOS晶体管的端子。
使用P阱技术制作CMOS
p阱工艺与N阱工艺相似，不同之处在于，这里使用n型衬底并且进行p型扩散。通常为了简单起见，优选N阱工艺。
CMOS双管制造
使用双管工艺可以控制P型和N型器件的增益。使用双管法制造CMOS的 各个步骤如下：
• 取轻掺杂的n或p型衬底，并使用外延层。外延层可保护芯片中的闩锁问题。
• 生长具有测量的厚度和确切的掺杂剂浓度的高纯度硅层。
• P和N井管的形成。
• 薄氧化物结构，可防止扩散过程中的污染。
• 源极和漏极使用离子注入方法形成。
• 进行切割以制造用于金属触点的部分。
• 进行金属化以绘制金属触点
CMOS IC布局
给出了CMOS制造和布局的俯视图 。在这里可以清楚地看到各种金属接触和N阱扩散。因此，这全部与CMOS制造技术有关。让我们考虑一个1平方英寸的晶圆，该晶圆分为400个芯片，表面积为50 mil x 50 mils。制造晶体管需要50 mil2的面积。因此，每个IC包含2个晶体管，因此在每个晶片上构建2 x 400 = 800个晶体管。如果每批处理10个晶圆，则可以同时制造8000个晶体管。您在IC上还观察到哪些组件？
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