背景技术：如图所示，为现有技术电门锁启动电路原理图，通过Acc out锁头信号输出端给三极管Q2 b极一个高电平，使Q2导通；再通过控制驱动电路中R7和R8分压使Vgs产生约为1/4Vcc的压差,Vgs最大不大于25V；再通过C8电容充放电，控制Vgs上升沿，实现P-MOS导通；Vgs上升沿时间越长，P-MOS导通的时间越长，通过延长P-MOS的导通时间来实现对导通内阻的控制，从而实现对P-MOS管的导通电流的控制。
控制电路中C8电容的充放电会增加Vgs的结电容，导致Vgs上升沿时间过长，将导通速度降低，导通内阻会增大，存在p-MOS管的结温Tj瞬间上升，无法短时间散发从而造成P-MOS内部芯片击穿。P-MOS管G、S短路。由于采用上述控制电路，电门锁开启的瞬间对电门锁电路容性、感性负载充电，P-MOS峰值电流在VCC＝48V时，IDMAX约大于80A,TD持续时间约20US，电路存在起火的隐患。
有一点提醒一下蓄电池供电电压的不同，电动车系统使用MOSFET管数也有不相同，同时封装形式也有所不同，电动车MOS管耐压选型，工程师在选参数时有什么问题可联系技术员哦！
电动车报警器MOS管选型
Part Number ID(A) BVDSS Typical RDS(ON) Max RDS(ON) Package
23P10A -23 -100 0.078 0.95 TO-252
35P10A -35 -100 0.042 0.055 TO-252
电动车充电器MOS管方案选型
可推荐使用：开关管Q可选用的高压MOSFET，主要为8N60、10N60、12N60、15N60、20N60等大功率产品等；
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