为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样，也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗，然后写入（或是涣散）相反导电型杂质到晶片内，图14.3闪现运用后者方法构成的两个电阻的顶视图和截面图，一个是曲折型，另一个是直条型.

首要考虑直条型电阻．在距表面深为х处、平行于表面厚度dχ的p型材料薄膜层的微分电导dG（如B-B截面所示）为式

中w是直条的宽度，L是直条的长度（假定先忽略端点的触摸面积），μp是窄穴迁移率，p为掺杂的浓度，这个直条型电阻的悉数写入区的电导为

此处xi是结深度．假定"，的值（为空穴浓度的函数）和p(χ)散布是已知的，则由式(2)，可以求得悉数电导为

此处，一个正方形电阻的电导，也就是当L＝w时，G=g．因此，电阻为

此处l/g通常用符号R口定义，称为薄层电阻（sheet resistance，又称为方块电阻）．薄层电阻的单位是Q，但习惯上以欧／方块（Ω／口）为单位.

由如图14.3所示的掩模版定义出不同的几何图样，可同时在一个集成电路中制造出许多不同阻值的电阻．因为对所有电阻而言工艺步骤是相同的，因此将电阻值的大小分成两部分是很方便的：由离子注入（或是扩散）工艺决定薄层电阻(R□)；由图样尺寸决定L/W 例．一旦R口已知，电阻值可以由L/W的份额得知，或是由电阻图样中的方块数目得知（每个方块的面积为WXW）．端点触摸面积会添加额定的电阻值至集成电路电阻中，就图）4.3中类型的电阻，每个端点触摸对应到大概o．65个方块．对曲折型电阻而言，在曲折处的电场线散布不是均匀地跨过电阻的宽度，而是密布于内侧的转角处．因此在曲折处的一个方块并不精确地等于一个方块，而是约为o．65个方块.
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