场效应管的基本知识
定义
场效应晶体管简称场效应管。它由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高，噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成，没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点。在开关电源中常用的是金属—氧化物—半导体场效应管MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor），它是由金属、氧化物（Sio2或SiN)半导体三种资料制成的，是应用电压控制电流以完成放大作用的半导体器件。
2．功用
①场效应管可应用于放大。由于场效应管的放大器的输入电阻很高，所以其耦合电容的容量能够较小：不用运用电解电容。
② 场效应管能够用做电子开关。
③场效应管的输入阻抗很高，因而它十分合适用于阻抗变换。它常用在多级放大器的输入级停止阻抗变换。
④场效应管能够用做可变电阻。
⑤场效应管能够便当地用做恒流源。
3.场效应管的分类
场效应管分为结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属—氧化物—半导体场效应管，MOSFET）；此外还有PMOS，NMOS和UMOS功率场效应管，以及最近刚问世的，πMOS场效应管等。按沟道半导体资料的不同，结型和绝缘栅型场效应管各分为N沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，MOS栅型场效应管既有耗尽型的，也有加强型的。场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和Mos场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型，P沟耗尽型和加强型四大类。
4．主要参数
1)直流参数
开启电压UT：是指加强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
夹断电压uGS（Off，（也能够用UP）：是指加强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
饱和漏极电流IDss：指耗尽型绝缘栅场效应管在UGS=o时的漏极电流。
输入电阻RDS(DC)：因iG=0，所以输入电阻很大。JPET的输入电阻大于107Ω，MOSFET的输入电阻大于1012Ω。
2)交流参数 低频跨导（互导）gm：反映了栅源电压对漏极电流的控制才能，且与工作点有关，是转移特性曲线上过Q点切线的斜率。
3)极限参数 最大漏—源电压U（BR)DS:漏极左近发作雪崩击穿时的UDs（漏源电压）。 最大栅—源电压U（BR)CS:栅极与源极间PN结的反向击穿电压。 最大耗散功率PDM:与晶体管的PcM类似，当功率超越PDM时，场效应管可能烧坏。
场效应管的命名办法
第一种命名办法：与双极型晶体管相同，其中第三位字母为J代表结型场效应管，为0代表绝缘栅场效应管；
第二位字母代表资料，其中D是P型硅，其反型层是N沟道，C是N型硅，其反型层是P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应品体管，3D06C是绝缘栅型N沟道场效应晶体管。第二种命名办法：CS X x#，其中CS代表场效应管，xx是以数字代表型号的序号，#是用字母代表同一型号中的不同规格，如CS14A、CS45G等。
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