MOSFET构造，从纵剖面来看，栅极（栅区）、源极（源区）、漏极（漏区）大致排列在同不断线上，这样的构造被称为横向沟道(Ltcral Channel)构造。同时，栅极，精确一点说是“栅区”与漏区、源区的分界面大致也是平面状的，这种栅极构造称为平面栅极(Planar Gate)构造。
上述构造的优点是结电容小，比拟合适于高频小功率应用，缺乏之处是源极与漏极相距比拟远，导电沟道的宽度有限，不太合适于功率应用。“凹槽。形的“槽栅”(Trench Gate)构造可以增加栅区与源区和漏区的接触面积，增加对电流的控制才能。垂直沟道构造是将源极与漏极配置在栅极的-侧，漏极与源极则是相向排列，这样的沟道构造缩短了沟道长度，合适于大电流应用。
功率MOS场效应管大都采用“垂直”沟道和“槽栅”构造，合起来简称“沟槽栅”结构。电子显微镜下的照片以显现两种沟道和栅极构造的主要区别（图1.14）。
TMOS (TrenchMOS)的称号固然指的是槽栅构造的MOSFET，但由于槽栅与垂直沟道常常是同时应用的，因而它也同时指垂直沟道构造，即“沟槽栅。构造的功率MOSFET。
最先应用的槽栅构造的剖面外形与英文字母“v”很类似（图1. 15），VMOS的最初称号就是由此而来，它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的缩写，曾经简称为“VVMOS”，至今依然可以在一些公开的材料中见到。这种依据栅极（栅区）的剖面外形停止的技术命名办法也被沿用了下来，以后陆续呈现了UMOS、πMOS等
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