在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（衬底或者阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或者正向）偏置电压VSB时，MOS晶体管的阈值电压就会发作变化。
如今讨论图1. 32示出的n沟MOS晶体管加偏置电压(VSB>O)时的状况。
反向偏置电压VSB会使沟道下的耗尽层扩展。由于耗尽层的扩展，耗尽层的负电离子数增加，而沟道区的电子数目相应地减少，使得与多晶硅栅中的正电荷坚持均衡。由于沟道区电子数目的减少，招致沟道的厚度变薄。
为了使沟道恢复到原来的厚度，必需加更大的栅极—源极间电压YGS。其结果，这个反向偏置电压Vs。招致了阈值电压的上升。
这种由于源极—基底间电压VSB招致阈值电压发作变化的现象，称为衬底偏置效应(body effect)或者背栅效应(back-gate effect)。
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