图7.2的复制电流源中，假如输出电压有△Vout的变动，那么电流源电路的电流将经过M2输出电阻r02变化。这个变化量为△Iout，那么下式成立：
电流源电路的性能由输出电压的变动△Vout起电流量的变动△Iout定义，这个值越小，性能越好。从式(7.3)能够看出，当增大电流源电路的输出电阻ro2时，有利于电流源性能的进步。
常用栅源放大电路作为增大模仿电路输出电阻的手腕。如图7.3所示，假如监视参考电流的电路与产生复制电流的电路都是栅源构造(将器件串级衔接的构造).就能构成输出电阻大的电流源电路。图7.3的栅源电路中，M3的漏极电阻r03是M4的本征增益gm4倍的输出电阻(gm4d r04) r03。放大电路中，为了进步电压增益而进步输出电阻。同样的办法也被用来进步电流源电路的输出电阻。栅源电路中，依据式(7，3)，输出电流的变化量△Iout能够进一步伐整M4的本征增益（gmro4).
但是由于有4个MOS晶体管，所以如式(7.2)所示的那样，在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之间的阈值电压VT上必需加额外的电压△ov。图7.4所示的栅源电流源电路中，处于监视侧（左侧）的两个MOS晶体管的栅极电位分别是VT十△ov2（VT+△DV）。这时，为使所定的电流流过M4的源极电压是VT十△ov，所以由饱和区工作条件得到的输出电压Vout下限是VT+ 2△ov。例如，假如MOS晶体管的阈值电压VT=0.5V，△OV=0. 2V，那么输出电压的下限就是o.9v。
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