目前，曾经适用化的全控型晶体管大致有这么几大类：BJT、FET、IGBT,GTO(Gatc Turn-Off Thyristor，可关断晶闸管）、1GCT (Integrated Gatc-Com-mutated Thyristor，集成门极单向晶闸管)。IGBT、GTO、IGCT -般只用于电流开关放大，即大功带领域，而不会用于小信号电压放大范畴，因而常常将三者划归功率半导体、半导体范畴。同时跨两个范畴的是BJT和FET。
所谓全控型，指的是仅仅依托控制端子（基极／栅极／控制极）的信号，晶体管能够自主翻开和关断，可控硅的控制极只能控制开的动作，却不能关闭可控硅，这样的器件称为半控型半导体器件。
GTO和IGCT固然属于全控型器件，但实践上是应用了集成技术，集成了若干控制电路，固然对外电路而言依然是三端器件（适用的IGCT常常是一个基于印制板的电路组件），但它们的内部曾经不是单一的硅片构造。从实践应用上来说，晶体管的导通实践上能够有两种状态：放大与饱和导通，前者用于电压放大，后者用于电放逐大，GTO与IGCT实践上只要后者。
从这个意义上来说，比拟地道的全控型半导体器件实践上只要BJT、FET、IGBT。基于这些理由，本节以BJT、FET、IGBT为例来看一下FET的典型特征（个性）。
1．FET是压控型器件
这一点IGBT与之相同。 BJT的基极需求电压和电流才干使BJT导通，简单地说，BJT的控制需求一定的功率。FET的栅极只需求一个控制电压即可，控制功率能够疏忽。当然，由于结电容的存在，高频应用时，压控型器件依然要耗费一定的控制功率，在这一点上，BJT也是一样的，只不过结电容耗费的功率与基极所需求的驱动功率相比，常常是能够疏忽的。
2．偏置特性有些不同：常开与常闭
在常态下，JFET是导通的，而BJT则是关闭的，就像一扇门，关于BJT而言，这扇门是关闭的，而关于JFET，这扇门是翻开的，我们所需求的控制，前者的目的是翻开，然后者是将其关闭。
在常态下，加强型MOSFET与BJT 一样都是关闭的，但是状况并不完整相同，只需有偏置电压，BJT就会翻开，而MOSFET则至少需求1V以上，通常是4-5V，这个电压称为“开启阈值电压”或者“门限电压”。就像一扇门，BJT足一扇光滑十分好的门，只需稍稍用力，或者只需有推门的力存在，哪怕是一阵微风，都能使门翻开一条缝；加强型MOSFET则是一扇装有闭门器的门，推门的力需求到达一定的水平，门才会开端翻开。
3．呈抛物线关系的转移特性
所谓转移特性，大致是指存饱和导通条件下的输入信号对输出信号的控制特性，即控制信号变化时，输出信号的变化规律。详细到FET，是指漏极电流与栅极电压的关系。
FET的转移特性大致为抛物线，也能够描绘为漏极电流与栅极电压为平方率关系。有这种转移特性的半导体器件没有三次交调噪声，也没有更高次谐波的调制噪声。
所谓交调噪声，也叫交扰调制噪声，是指两个不同频率的信号在同一器件中相互调制而产生的一种噪声。交扰调制和调制噪声是混频器尽可能要防止的，因而高级的收音头会采用FET器件做混频器件，常见的有双栅极的MOSFET。
4．JFET的个性：可控的双导游电特性
除了串联等一些特殊应用，JFET的漏极和源极在应用上并无区别，能够互换运用，因而，JFET漏极和源极在普通应用中能够对调，电路性能并无区别。
基于这个原理，将D、S对调，图1.1中的电路方式能够演化出另外两种。也正是由于这个缘由，有些电路符号会将JFET的栅极画在正中的位置而不是偏下的位置，以表示漏极和源极的外部功用是相同的。5．VMOS的个性：可变的饱和导通压降，不变的饱和导通电阻BJT的饱和导通压降简直是恒定的，关于硅管而言，大致为0.7V，关于锗管而言，为o．3V左右，由于锗管的温度特性不佳，因而硅管愈加常用。
MOSFET的饱和导通压降不是恒定的，饱和导通电阻(RDS（ON))却是一定的（温度相同条件下），因而VMOS的饱和导通压降取决于电路巾流过的电流。
VMOS的饱和导通电阻主要和电压规格（俗称“耐压”）有关，电压规格越高，饱和导通电阻越大。低电压规格的VMOS的饱和导电阻普通在mΩ级。
如图1.3中的8205，饱和导通电阻的典型值为30mΩ，TJ（结温，近似为晶体管硅片的温度）为100℃的时分，饱和导通电阻为40mΩ。不难算出，手机的工作电流即便到达0.5A（实践上普通远小于这个数值），两个电子开关的压降也只要30mV，思索到温度的要素，也不会超越40mV。
假如采用BJT，上述压降就会到达1.4V左右，这个数值与8205上的压降相比，是不是简直能够疏忽？这就是图1.3要采用VMOS的缘由。
当然，VMOS的饱和导通电阻也不总是这么小，随着电压规格的进步，这个数值会疾速上升。虽然如此，在电压规格小于200V的普通应用中，它的饱和压降依然有绝对的优势。
IGBT的饱和压降与BJT的特性相似，普通为1.5～3V，与电压规格有关，因而，在高压规格(600～1200V)的晶体管中，IGBT有优势，它更大的优势是，IGBT的电压规格目前可以做到很高，不但远远高于FET，也远远高于BJT，实用产品曾经到达了4. 3kV～6. 5kV，而适用的VMOS，最高的电压规格大致为lkV～l. 2kV。
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