偏置电路有两种，即电流偏置电路和电压偏置电路。设计CMOS模拟电路时最常用的是电流偏置电路。这是由于MOS晶体管的跨导gm和输出电阻ro是决定电路工作（放大增益和频率特性）的基本参数，如式(7.1)所示，这一点可以用电流I简单地表现出来：
式中，β是沟道长宽比有关的参量；入是ID-VDS特性的斜率。
理想的电流偏置源电路是在工作环境温度、电源电压、输出电压有变动的情况下仍然能够持续提供恒定电流的电路。
首先，引见对外部提供的参考电流进行复制、在电路必要的中央制造电流源的方法。为了复制电流，需求监视参考电流的机构。最简单的方法就是二极管衔接的MOS晶体管。如图7.1所示，假设运用二极管衔接器件，那么参考电流Iref就被变换为栅极电压VGS：
考虑到电流开端流过MOS晶体管时的栅极电压VGS，就是阈值电压VT，可以看出，过驱动电压△ov是为了流过电流Iref，在栅极上额外多加的电压。思索到Mos晶体管的栅极电流是由栅极—源极间电压决议的（前提是工作在饱和区VDS
CMOS模拟电路巾有两种电流源：给附加的电子电路提供电流的电流源，以及反过来从电子电路引出电流的电流源（也叫做电流吸收）。这两种电流源可以用上述方法制造，不过前者的电流源电路用p沟MOS晶体管完成，后者用n沟MOS晶体管完成。运用这种方法，就能够在模拟电路的恣意处制造甚毫几个电流源。
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