MOS晶体管的源极与基底等电位，由于Ubs=0，所以小信号等效电路能够简化成图2.4那样。由于漏极电导的倒数就是输出电阻ro，所以能够表示为ro＝l/gd。输出电阻ro也好，漏极电导gd也好，它们经常呈现在小信号解析中。
图2.2和图2，4所示的小信号等效电路不只适用于NMOS晶体管，也适用于PMOS晶体管。但是需求留意的是，这个小信号等效电路中，当小信号电压Vgs增加时，小信号电流id增加的方向是从漏极指向源极的方向。所以关于PMOS的小信号等效电路，运用图2.5和图2.6所示的电路停止阐明。图2.5和图2.6中，当Vsg（或者Vsb）增加时，从源极流向漏极的小信号电流id增加。
MOS晶体管中存在寄生电容。思索到寄生电容的MOS晶体管的等效电路如图2.7所示。在讨论高频特性时，运用这种加上了电容成分的模型，这也使人工计算停止解析变得复杂。在SPICE之类的电路模仿中，运用含有这些寄生电容成分的器件模型停止计算。
烜芯微专业制造二极管，三极管,MOS管，20年，工厂直销省20%，1500家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍