在光耦驱动的电路中，针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的．—般常用的估算方式，将对光耦mos管估算方式进行介绍．并对每种估算方式进行讲解
第一种:公式估算法
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
第二种：（第一种的变形）
密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；
第三种：曲线估算法
以一个实际MOS管为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
这3种目前较为常见的对于光耦应用中MOS管进行估算的方法。每种方法都有其自身的特点，根据不同的情况，设计者可以根据公式或曲线模式来对MOS管的取值进行估算。
继电器的专业术语：
Form A=常开触点
Form B=常闭触点
Form C=转换触点
Form E=双稳态开关
AT=安培匝数用于描述磁场灵敏度的参数
NC是常闭触点（正常闭合）
NO是常开触点（常开）
光耦继电器（MOS输出）特点
无触点，因此没有触点的磨损，使用寿命是无限的；
无震动和弹跳；防震，抗摔性；
无动作声音；
小体积（有直插和贴片两种封装），高信赖性；
AC/DC兼用；
高速切换；
低放电电压；
低动作电流（省电流）；
低开路时的漏电电流；
输入与输出间完全绝缘；
可控制各种负载（继电器、电灯、发光二极管、加热器、马达、电磁吸筒等）。
光耦继电器是没有寿命的，发光二极管导通截止，接收二极管导通截止，不会因为老化而坏掉。因此光耦继电器适用于反复需要开关的领域。
光耦继电器还有一个优点就是没响声，不会咔嚓咔嚓响
继电器触点类型有：1常开、1常闭、1开1闭、2常开、2常闭…..
总之很多很多，按需求选择。
其实光耦继电器按输出结构也可以分为MOS(场效应管)输出或SCR(可控硅整流管)输出。
MOS输出的负载电流比较小(通常几百mA)，而如果是SCR输出的负载电流比较大(能达到几mA)
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