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  • Cool-MOS原理结构-制造方法与Cool-MOS的优势和问题
    • 发布时间:2019-08-16 17:16:49
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    Cool-MOS,Cool-MOS优势与问题
    Cool-MOS原理、结构、制造方法概述
    (一)Cool-MOS原理
    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。
    Cool-MOS,Cool-MOS的优势
    但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢?
    对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
    但是对于COOLMOS结构,由于设置了相对P body浓度低一些的P region区域,所以P区一侧的耗尽区会大大扩展,并且这个区域深入EPI中,造成了PN结(b图的A结)两侧都能承受大的电压,换句话说,就是把峰值电场Ec由靠近器件表面,向器件内部深入的区域移动了。形成的耐压(图中浅绿色的面积)就大了。当COOLMOS正向导通时,正向电流流通的路径,并没有因为设置了P region而受到影响。
    Cool-MOS,Cool-MOS的优势
    图1 CoolMos与普通VDMOS的差异
    Cool-MOS,Cool-MOS的优势
    图2 CoolMos与普通VDMOS相比BV和Rdson的优势
    (二)Cool-MOS结构及P区制造方法
    1、多次注入法
    英飞凌采用多次注入法形成的结构,如图3所示。之所以采用多次注入,是由于P区需要深入到EPI中,且要均匀分布,一次注入即使能注入到这么深,在这个深度中的分布也不会均匀,所以要采用多次注入法。
    2、倾斜角度注入(STM技术)
    除了多次注入法,能保证在EPI中注入这么深,并且保证不同位置的浓度差异不大的方法还有 STM技术(Super trench MOSFET)。采用倾斜角度注入,实现Super junction的结构(STM)。
    3、开深沟槽后外延生长填充形成P区
    上海华虹NEC电子有限公司的专利:本发明公开了一种CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法,通过在N型外延上开深沟槽,然后再利用外延工艺在沟槽内生长出P型单晶硅形成在N型外延上的P型区域,然后通过回刻工艺将槽内生长的P型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐,以形成CoolMOS的纵向P型区域。该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。
    Cool-MOS优势与问题
    (一)Cool-MOS的优势
    1.通态阻抗小,通态损耗小。
    由于SJ-MOS 的Rdson 远远低于VDMOS,在系统电源类产品中SJ-MOS 的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET 的导通损耗,提高了系统产品的效率,SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上,优势表现的尤为突出。
    2.同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高。
    首先,同等电流以及电压规格条件下,SJ-MOS 的晶源面积要小于VDMOS 工艺的晶源面积,这样作为MOS 的厂家,对于同一规格的产品,可以封装出来体积相对较小的产品,有利于电源系统功率密度的提高。
    其次,由于SJ-MOS 的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗,因为这些损耗都是以热量的形式散发出去,我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS 单体的温升,使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS 可以有效的减少发热量,减小了散热器的体积,对于一些功率稍低的电源,甚至使用SJ-MOS 后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。
    3.栅电荷小,对电路的驱动能力要求降低。
    传统VDMOS 的栅电荷相对较大,我们在实际应用中经常会遇到由于IC 的驱动能力不足造成的温升问题,部分产品在电路设计中为了增加IC 的驱动能力,确保MOSFET 的快速导通,我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路,从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS 的栅电容相对比较小,这样就可以降低其对驱动能力的要求,提高了系统产品的可靠性。
    4.节电容小,开关速度加快,开关损耗小。
    由于SJ-MOS 结构的改变,其输出的节电容也有较大的降低,从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS 栅电容也有了响应的减小,电容充电时间变短,大大的提高了SJ-MOS 的开关速度。对于频率固定的电源来说,可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上,效果更加明显。
    (二)Cool-MOS系统应用可能会出现的问题
    1.EMI 可能超标。
    由于SJ-MOS 拥有较小的寄生电容,造就了超级结MOSFET 具有极快的开关特性。因为这种快速开关特性伴有极高的dv/dt 和di/dt,会通过器件和印刷电路板中的寄生元件而影响开关性能。对于在现代高频开关电源来说,使用了超级结MOSFET,EMI 干扰肯定会变大,对于本身设计余量比较小的电源板,在SJ-MOS 在替换VDMOS 的过程中肯定会出现EMI 超标的情况。
    2.栅极震荡。
    功率MOSFET 的引线电感和寄生电容引起的栅极振铃,由于超级结MOSFET 具有较高的开关dv/dt。其震荡现象会更加突出。这种震荡在启动状态、过载状况和MOSFET 并联工作时,会发生严重问题,导致MOSFET 失效的可能。
    3.抗浪涌及耐压能力差。
    由于SJ-MOS 的结构原因,很多厂商的SJ-MOS 在实际应用推广替代VDMOS 的过程中,基本都出现过浪涌及耐压测试不合格的情况。这种情况在通信电源及雷击要求较高的电源产品上,表现的更为突出。这点必须引起我们的注意。
    4.漏源极电压尖峰比较大。
    尤其在反激的电路拓扑电源,由于本身电路的原因,变压器的漏感、散热器接地、以及电源地线的处理等问题,不可避免的要在MOSFET 上产生相应的电压尖峰。针对这样的问题,反激电源大多选用RCD SUNBER 电路进行吸收。由于SJ-MOS 拥有较快的开关速度,势必会造成更高的VDS 尖峰。如果反压设计余量太小及漏感过大,更换SJ-MOS 后,极有可能出现VD 尖峰失效问题。
    5.纹波噪音差。
    由于SJ-MOS 拥有较高的dv/dt 和di/dt,必然会将MOSFET 的尖峰通过变压器耦合到次级,直接造成输出的电压及电流的纹波增加。甚至造成电容的温升失效问题的产生。
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