模仿电路解析包括直流解析和交流小信号解析。这里导入小信号解析时所需要的小信号等效电路。小信号等效电路模型是使计算简单化的线性模型。
三个小信号参数gm、gmb、go
如前所述，模仿电路是在MOS晶体管器件的饱和区停止工作的。饱和区中，MOS晶体管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2，ID与Gs之间不是线性关系。但是，如图2.1所示，在微小电压νgs与微小电流id之间能够看作线性关系近似认为id∝ νgs。
图2.2示出MOS晶体管的低频小信号等效电路。这里运用的小信号参数gm、gmb、go定义如下（单位都是西[门子]，S）。
(1)跨导(transconductance) gm：
(2)体跨导(bulk transconductance)gmb：
(3)漏极电导(grain conductance)go：
跨导gm表示图2.1中示出的微小区域中直线的斜率。漏极电导go表示图2.3中示出的ID-VDS特性的斜率，go=1/ro（ro是输出电阻）。
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