至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时，在栅氧化膜下方构成反型层（沟道），在漏极-源极间有电流活动，这种状态称为强反型状态。
但是，即便MOS晶体管的栅极，源极间电压VGS处在阈值电压VT以下，漏极电流也并不等于0，依然有微小的电流活动，这时MOS晶体管的工作状态叫做弱反型(weak inversion)，工作区域叫做弱反型区。
在弱反型区，漏极电流关于VGS呈指数关系增加，电流表达式为下式：
式中，Io是与制造工艺有关的参数；”叫做斜率因子(slope factor)，由耗尽层电容Cd与栅氧化膜电容Cox之比按下式计算求得：
n的普通值是1～1.5。另外，n值还能够从图2.8中曲线的斜率求得。这个曲线的横轴是VGS，纵轴取logID。n越小，logID-VGS。曲线在弱反型区中直线局部的斜率就越陡，MOS晶体管的漏电流就越小。这个斜率的倒数叫做亚阈摆动(sub-threshold swing)或者亚阈斜率(subthreshold slope)，其定义式如下：
亚阈摆动S表示弱反型区中漏极电流变化1个数量级所需求的栅极-源极间电压。应用式(2.12)，能够得到
其单位通常用(mV/dec)表示。亚阈摆动小的MOS晶体管，意味着OFF时的漏电流小。当n=1时，室温下下面求弱反型区中的跨导gm。
由式(2.1)和式(2.l2)能够得到由该式能够看出，弱反型区中跨导与漏极电流成比例。
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