整流二极管作用是把交流变成直流电的过程，那么对于此类二极管选择参数有：击穿电压VB、最大平均整流电流IF、最高反向工作电压VR等，例如对于HER308，这是一种快恢复二极管，它的反向峰值电压以及最大直流电压都是1000V，特点是快速开关效率高，因此在开关电源当中最重要的是频率，如果对于工频领域则选用一般整流二极管既可以了，只要耐压要求一般都合适，下面就是烜芯微对于整流二极管的作用的具体介绍。
1、正向性
整流二极管的作用最为突出的就是其正向性，整流二极管外加正向电压时，正向特性起始部分中的正向电压很小，不能有效的克服PN结内电场的阻挡作用，当整流二极管的正向电流几乎为零，这一段称为死区，不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当整流二极管正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被有效克服，整流二极管的正向导通，电流随电压增大而快速上升。在正常的电流范围内，导通时整流二极管端电压几乎维持不变。
2、反向性
整流二极管的作用中的反向性，是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小，整流二极管处于截止状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多，小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目也会增加。
3、反向击穿
整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。
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